NMOS管,全称N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一种由栅极电压来控制漏极电流的电子器件。它的源极和漏极是N型半导体材料,而栅极通常由多晶硅制成,并在上面覆盖有一层二氧化硅绝缘层。NMOS管的工作原理是通过在栅极上施加电压,改变栅极与沟道之间的电场,从而控制沟道中的电荷密度和电流的大小。在数字电路中,NMOS管常常被用作开关来控制电流的通断。当栅极电压足够高时,沟道形成,NMOS管处于导通状态,允许电流从源极流向漏极;而当栅极电压较低时,沟道关闭,NMOS管处于截止状态,阻止电流通过。NMOS管具有低功耗、高开关速度、高集成度等优点。耐压30V MOS管系列:主要有HC90N03M、HG004N03L、HC005N03L、HC006N03M、HG3019DHC009N03L、HC008NO3M、HC3022D、HC3039P、HC3039D、HC020N03L、HC013N03M、HC3600MHC3400M、HC3600G、HC3400Y、HC3404Y、HC030N03L、HC3400S。
典型应用 汽车充电器、电池充电器 恒压电源 GPS定位器,BMS 电动自行车,扭扭车,电动车手机充电 MCU模块供电 电动汽车变流器 车载仪表
MOS管,即金属氧化物半导体场效应管,其工作原理是:在P型半导体与N型半导体之间形成PN结,当加在MOS管栅极上的电压改变时,PN结之间的沟道内载流子的数量会随之改变,沟道电阻也会发生改变,进而改变源极和漏极之间的电流大小。MOS管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。惠海半导体的MOS管有中低压NMOS和PMOS管,可搭配芯片。我司MOS具有:低内阻、低开启、低结电容、等特性,SGT工艺和沟道MOS 管专注高品质 MOS 管研发、生产、销售。MOS管支持30V,60V,100V,150V等耐压,有SOT23,PDFN3*3,PDFN5*5,SOT89-3,SOP-8,TO-252等多种封装类型,适用于各种领域。包括常规型号:3400 5N10 10N10 17N10 25N10 30N10 40N10 17N06 20N06 30N06 50N06 70N06 20N03 30N03 50N03 70N03等等。【惠海半导体30-150V输入中低压N沟道MOS管】3400 3402 2N10 3N10 4N10 5N10 6N10 8N1010N10 12N10 14N10 15N10 17N10 18N10 20N10 25N10 30N10 35N10 40N1015N06 20N06 30N06 35N06 40N06 50N06 60N0620N03 25N03 30N03
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