NMOS管，全称N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管（N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种由栅极电压来控制漏极电流的电子器件。它的源极和漏极是N型半导体材料，而栅极通常由多晶硅制成，并在上面覆盖有一层二氧化硅绝缘层。NMOS管的工作原理是通过在栅极上施加电压，改变栅极与沟道之间的电场，从而控制沟道中的电荷密度和电流的大小。在数字电路中，NMOS管常常被用作开关来控制电流的通断。当栅极电压足够高时，沟道形成，NMOS管处于导通状态，允许电流从源极流向漏极；而当栅极电压较低时，沟道关闭，NMOS管处于截止状态，阻止电流通过。NMOS管具有低功耗、高开关速度、高集成度等优点。耐压30V MOS管系列：主要有HC90N03M、HG004N03L、HC005N03L、HC006N03M、HG3019DHC009N03L、HC008NO3M、HC3022D、HC3039P、HC3039D、HC020N03L、HC013N03M、HC3600MHC3400M、HC3600G、HC3400Y、HC3404Y、HC030N03L、HC3400S。
典型应用 汽车充电器、电池充电器 恒压电源 GPS定位器，BMS 电动自行车，扭扭车，电动车手机充电 MCU模块供电 电动汽车变流器 车载仪表
MOS管，即金属氧化物半导体场效应管，其工作原理是：在P型半导体与N型半导体之间形成PN结，当加在MOS管栅极上的电压改变时，PN结之间的沟道内载流子的数量会随之改变，沟道电阻也会发生改变，进而改变源极和漏极之间的电流大小。MOS管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。惠海半导体的MOS管有中低压NMOS和PMOS管，可搭配芯片。我司MOS具有：低内阻、低开启、低结电容、等特性，SGT工艺和沟道MOS 管专注高品质 MOS 管研发、生产、销售。MOS管支持30V，60V，100V，150V等耐压，有SOT23，PDFN3*3，PDFN5*5，SOT89-3，SOP-8，TO-252等多种封装类型，适用于各种领域。包括常规型号：3400 5N10 10N10 17N10 25N10 30N10 40N10 17N06 20N06 30N06 50N06 70N06 20N03 30N03 50N03 70N03等等。【惠海半导体30-150V输入中低压N沟道MOS管】3400 3402 2N10 3N10 4N10 5N10 6N10 8N1010N10 12N10 14N10 15N10 17N10 18N10 20N10 25N10 30N10 35N10 40N1015N06 20N06 30N06 35N06 40N06 50N06 60N0620N03 25N03 30N03
我司还有30-200V的中低压NMOS和PMOS管，可搭配芯片，为您提供一整套的方案。MOS管支持30V 60V 100V 150V 200V等耐压，有SOT23 PDFN3*3 PDFN5*5 SOT89-3 SOP-8 TO-252等多种封装类型，适用于各种领域。包括常规型号：3400 5N10 12N10 15N10 25N10 30N10 45N10 50N10 70N10 5N06 10N06 20N06 30N06 50N06 70N06 20N03 30N03 45N03 70N03 5P03 5P04 20P04 25P04 30P04 60P04 5P06 20P06 40P06 60P06 20P10 30P10 10P15等。